11:15 〜 11:30
▲ [20a-F12-9] Investigation of AlxOy ReRAM Cell Resistance Switch Characteristic
キーワード:ReRAM,Verify-program,Endurance
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.4 デバイス/集積化技術
2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)
11:15 〜 11:30
キーワード:ReRAM,Verify-program,Endurance