[20a-F7-1~9] 6.5 表面物理・真空

△ [20a-F7-4] 極薄Si酸化膜技術を用いてエピタキシャル成長したSi基板上Fe₃O₄ナノドットの抵抗スイッチング特性

^○松井秀紀¹，中村芳明^1,2，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

キーワード：ナノドット,鉄酸化物,抵抗スイッチング