[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-1] サファイア基板上へのScN薄膜のヘテロエピタキシャル成長とその電気特性

^○大垣武，渡邉賢，坂口勲，大橋直樹，羽田肇 (物材機構)

キーワード：窒化スカンジウム,薄膜,ヘテロエピタキシャル成長