[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-11] 加工Si基板上半極性(1-101)GaN/InGaN MQWの高品質化

^○曾根康和¹，久志本真希¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤崎記念研究センター²)

キーワード：GaN,半極性,Si基板