[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-9] 低転位密度GaN基板上に作製したInGaN系LEDのdroop低減

^○（DC）山下康平¹，杉山智彦³，岩井真³，本田善央¹，吉野隆史³，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²，日本ガイシ³)

キーワード：効率ドループ,低転位密度,GaN基板