[20p-D6-1~8] 6.4 薄膜新材料

[20p-D6-2] Si(100)基板上の複合面方位CeO₂領域間の分離

^○井上知泰，信田重成 (いわき明星大科学技術)

キーワード：方位選択エピタキシャル成長,複合面方位基板,SOI