[20p-D6-1~8] 6.4 薄膜新材料

[20p-D6-8] ポストアニール処理によるHfO₂/SiO_x/Si(100)構造のSiO_xの膜厚制御

^○豊嶋祐樹¹，澤本直美²，谷脇将太¹，池野成裕^2,3，堀田育志^1,4，吉田晴彦^1,4，新船幸二^1,4，小椋厚志^2,4，佐藤真一^1,4 (兵県大¹，明大²，NIMS³，JST-CREST⁴)

キーワード：双極子,界面,Si