[20p-D8-1~8] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[20p-D8-6] 各種チャネル材料を用いたIII-V DG MOSFETの遅延時間解析

^○矢島悠貴，大濱諒子，西田明央，藤川紗千恵，藤代博記 (東理大基礎工)

キーワード：III-V MOSFET,量子モンテカルロシミュレーション,遅延時間