[20p-E6-1~7] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[20p-E6-3] OFET構造を利用したTHz波センサの基礎検討(II)：ゲート電場変調吸収スペクトルのFDTD法を用いた解析

上田智也¹，李世光^1,2，藤井勝之³，小島広孝¹，松原亮介¹，^○中村雅一¹ (奈良先端大物質創成¹，西安理工大²，南山大情報理工³)

キーワード：THz波,有機トランジスタ,FDTDシミュレーション