一般セッション(口頭講演)

[14p-2S-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:30 2S (3Ｆラウンジ)

座長:石河泰明(奈良先端大),松木伸行(神奈川大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

[14p-2S-1] PのCat -dopingを施したa-Si 膜に対する活性化アニール

〇瀬戸純一^1,2、大平圭介^1,2、松村英樹^1,2 (1.北陸先端大、2.JST CREST)

14:00 〜 14:15

[14p-2S-2] a-Si:H 太陽電池特性に及ぼすi 層高温製膜の効果

〇(M2)辻佑太¹、矢田貴大¹、西尾侑典¹、傍島靖^1,2、松田彰久¹、岡本博明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST)

14:15 〜 14:30

[14p-2S-3] 太陽電池用a-Si:Hのキャリア捕捉とデバイス特性

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研　太陽光発電研究センター)

14:30 〜 14:45

[14p-2S-4] FTPS法を用いた光吸収評価によるa-SiO_x:H薄膜太陽電池の欠陥評価

〇松井研人¹、伊藤貴司¹、Abd Rahman Syazwana¹、片山竜一¹、山川幸輝¹、斉藤潤²、杉山秀一郎²、Sichanugrist Porponth³、野々村修一¹、小長井誠^3,4 (1.岐阜大、2.シャープ、3.JST FUTURE-PV、4.東京都市大)

14:45 〜 15:00

[14p-2S-5] 狭ギャップ高密度水素プラズマを用いたオンサイトSiH₄生成装置の開発

〇篠田史也¹、垣内弘章¹、安武潔¹、大参宏昌¹ (1.阪大院工)

休憩（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[14p-2S-6] 高感度電子線ホログラフィーによる薄膜シリコン太陽電池内部の電位分布の可視化

〇山本和生¹、松井卓矢²、柴田肇²、吉田竜視¹、加藤丈晴¹、松原浩司²、仁木栄²、平山司¹ (1.ファインセラミックスセンター、2.産総研太陽光発電研究センター)

15:30 〜 15:45

[14p-2S-7] 表面にフォトニック結晶を形成したµc-Si太陽電池の理論解析
－フォトニック結晶構造の詳細検討と寄生吸収の抑制－

〇田中良典¹、川本洋輔¹、石崎賢司¹、De Zoysa Menaka^1,2、野田進¹ (1.京大院工、2.京大白眉)

15:45 〜 16:00

[14p-2S-8] 表面にフォトニック結晶構造を有するµc-Si太陽電池－表面層へのフォトニック結晶導入効果の実験評価－

〇石崎賢司¹、田中良典¹、De Zoysa Menaka^1,2、元平暉人¹、野田進¹ (1.京大院工、2.京大白眉)

16:00 〜 16:15

[14p-2S-9] 固体ソースMBE法によるSiテクスチャ基板上へのGeドット積層構造の結晶成長と太陽電池応用

〇星裕介¹、青沼理¹、太野垣健²、Yunin Pavel^3,4、Novikov Alexey^3,4、Yurasov Dmitrij^3,4、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.産総研、3.ロシア科学アカデミー、4.ニジェゴロド国立大)

休憩（16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

[14p-2S-10] 表面ポテンシャルによるSiナノワイヤー太陽電池の発電特性への影響

〇西川進¹、宮澤遼太¹、若林整¹、筒井一生¹、岩井洋¹、角嶋邦之¹ (1.東工大総理工)

16:45 〜 17:00

△ [14p-2S-11] 水素プラズマ処理による多結晶シリコンナノワイヤ薄膜の欠陥密度とキャリアライフタイムへの影響

〇加藤慎也¹、山崎竜也²、黒川康良³、宮島晋介²、小長井誠^1,4 (1.科学技術振興機構、2.東工大院理、3.名大院工、4.東京都市大学総研)

17:00 〜 17:15

[14p-2S-12] ラジアル型ワイヤー太陽電池におけるワイヤー径の影響

〇屋敷保聡¹、白柳裕介¹、袴田朋宏¹、小長井誠² (1.JST、2.都市大)

17:15 〜 17:30

[14p-2S-13] Si ナノウォールセルの解析

〇吉葉修平¹、平井政和¹、市川幸美¹、小長井誠^1,2 (1.科学技術振興機構、2.東京都市大)

一般セッション(口頭講演)

[15a-2S-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:00 2S (3Ｆラウンジ)

座長:新船幸二(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[15a-2S-1] 40 cm径ルツボを用いた33 cm径インゴット結晶の
Noncontact crucible methodによる成長

〇中嶋一雄¹、小野聖¹、村井良多¹、金子弦¹、JAY Frédéric²、VESCHETTI Yannick²、JOUINI Anis² (1.FUTURE-PV JST郡山センター、2.National Institute of Solar Energy (INES R&D))

09:15 〜 09:30

△ [15a-2S-2] SMART (Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique)法を用いたモノライクシリコンの結晶成長

〇高橋勲¹、岩田大将¹、市川寛章¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大工)

09:30 〜 09:45

[15a-2S-3] Σ3粒界からの微小角度ズレと融液成長過程における欠陥発生

〇(M1)岩田大将¹、高橋勲¹、宇佐美徳隆¹ (1.名古屋大工)

09:45 〜 10:00

△ [15a-2S-4] 多結晶シリコン中の粒界上に形成された酸素・窒素析出物

〇宇野匠^1,2、小椋厚志¹、小野春彦^2,1 (1.明治大、2.神奈川県産技セ)

10:00 〜 10:15

[15a-2S-5] 太陽電池用多結晶Si育成時における3次元転位密度・残留応力解析の評価

〇中野智¹、高冰¹、Jiptner Karolin²、原田博文²、宮村佳児²、関口隆史²、福澤理行³、柿本浩一¹ (1.九大応力研、2.物質・材料研究機構、3.京都工繊大)

10:15 〜 10:30

[15a-2S-6] シリコン単結晶成長における転位密度低減に対する結晶成長方位の役割

〇高冰¹、中野智¹、原田博文¹、宮村佳児¹、柿本浩一¹ (1.九大応力研)

10:30 〜 10:45

[15a-2S-7] Tiを過飽和ドープしたSi単結晶の光吸収と光電気伝導の相関

〇藪慶太郎¹、川邊大介¹、小柴悠資¹、杉村陽¹、青木珠緒¹、梅津郁朗¹ (1.甲南大理工)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

△ [15a-2S-8] PLイメージングによるn型多結晶Si中の小角粒界におけるキャリア再結合と金属不純物の影響評価

〇(M1)鈴木涼太¹、池野成裕^1,2、立花福久^3,4、大下祥雄³、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.学振特別研究員 DC、3.豊田工大、4.産総研福島)

11:15 〜 11:30

[15a-2S-9] 結晶Si太陽電池の断面仕事関数測定に適した観察面研磨手法の検討

〇(PC)山田郁彦¹、須田耕平²、神岡武文¹、中村京太郎²、小椋厚志²、大下祥雄¹、神谷格¹ (1.豊田工大、2.明治大)

11:30 〜 11:45

[15a-2S-10] 超高次走査型非線形誘電率顕微鏡による単結晶Si太陽電池の光照射によるキャリア分布変化の測定

〇廣瀬光太郎¹、茅根慎通¹、長康雄¹ (1.東北大通研)

11:45 〜 12:00

[15a-2S-11] 太陽電池裏面レーザーポイントコンタクトの最適化

〇卜部駿介¹、Ateto Eric Omondi¹、宮島晋介¹ (1.東工大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[15p-2S-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2015年9月15日(火) 13:30 〜 17:15 2S (3Ｆラウンジ)

座長:田口幹朗(パナソニック),久松正(シャープ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[15p-2S-1] 汎用塗料のインクジェット印刷によるエッチングマスク形成法を用いた裏面電極型ヘテロ接合太陽電池の作製

〇高岸秀行¹、佐藤愛子¹、野毛宏¹、齊藤公彦¹、近藤道雄^1,2 (1.福島大、2.産総研)

13:45 〜 14:00

[15p-2S-2] 電極の仕事関数を制御したMIS型セルのシミュレーション

〇(PC)神岡武文¹、林豊¹、中村京太郎²、大下祥雄¹ (1.豊田工大、2.明治大)

14:00 〜 14:15

[15p-2S-3] a-Si_1-xO_x:Hパッシベーション膜を堆積させた結晶シリコンの実効ライフタイムの温度依存性

〇稲葉真宏¹、宮島晋介¹ (1.東工大院)

14:15 〜 14:30

[15p-2S-4] ホスフィンを利用したSi基板中へのPドーピングによる電界効果パッシベーションの検討

〇(M1)黄雅テイ¹、星裕介¹、高橋勲¹、宇佐美徳隆¹ (1.名古屋大工)

14:30 〜 14:45

[15p-2S-5] LIAスパッタアルミナ膜の太陽電池への応用評価

〇大澤篤史¹ (1.SCREENファインテック)

14:45 〜 15:00

[15p-2S-6] スピンコートアルミナ薄膜のパッシベーション特性に及ぼす界面酸化膜の効果

〇渡邊良祐¹、川島瑞穂¹、齋藤洋司¹ (1.成蹊大理工)

15:00 〜 15:15

△ [15p-2S-7] AlO_xパッシベーション膜の構造と固定電荷密度の関係

〇北野奨¹、三木悠生¹、井口功嗣¹、三木祥平¹、池野成裕²、山下祥弘²、小椋厚志²、吉田晴彦¹、佐藤真一¹、前田光治¹、新船幸二¹ (1.兵庫県大工、2.明大理工)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

△ [15p-2S-8] 異なる面方位を有する平面基板を用いて作製された単結晶シリコン太陽電池の電圧誘起劣化挙動

〇山口世力¹、増田淳²、大平圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

15:45 〜 16:00

[15p-2S-9] レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池のPID評価

中西英俊¹、〇北村藤和¹、松尾清隆¹、水端稔¹、白澤勝彦²、望月敏光²、高遠秀尚²、川山巌³、斗内政吉³ (1.SCREEN、2.産総研、3.阪大レーザー研)

16:00 〜 16:15

[15p-2S-10] 結晶Si 太陽電池モジュールにおける機械式荷重試験のシミュレーション解析

〇鈴木聡¹、棚橋紀悟²、土井卓也²、増田淳² (1.エスペック株式会社、2.産総研)

16:15 〜 16:30

[15p-2S-11] c-Si PVモジュールにおける湿熱ストレス誘引劣化の解析方法

〇棚橋紀悟¹、増田淳¹ (1.産総研)

16:30 〜 16:45

△ [15p-2S-12] ナノ構造pHセンサーによる太陽電池モジュール内の発生酢酸分布の評価

〇(DC)浅香孝¹、板山知広¹、若生峻太郎¹、長崎秀昭¹、岩見健太郎¹、山本千津子²、原由希子²、増田淳²、梅田倫弘¹ (1.東京農工大、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[15p-2S-13] Sn薄膜の相対反射率変化による太陽電池モジュール内の酢酸検出

〇板山知広¹、浅香孝¹、若生峻太郎¹、長崎秀昭¹、岩見健太郎¹、山本千津子²、原由希子²、増田淳²、梅田倫弘¹ (1.農工大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[15p-2S-14] 太陽電池モジュールへの光照射試験における酢酸発生挙動

〇森田秀幸¹、網岡孝夫¹、土井卓也²、増田淳² (1.東レ、2.産総研)

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[14p-2S-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [14p-2S-11] 水素プラズマ処理による多結晶シリコンナノワイヤ薄膜の欠陥密度とキャリアライフタイムへの影響

[15a-2S-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [15a-2S-2] SMART (Seed Manipulation for ARtificially controlled defects Technique)法を用いたモノライクシリコンの結晶成長

△ [15a-2S-4] 多結晶シリコン中の粒界上に形成された酸素・窒素析出物

△ [15a-2S-8] PLイメージングによるn型多結晶Si中の小角粒界におけるキャリア再結合と金属不純物の影響評価

[15p-2S-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [15p-2S-7] AlOxパッシベーション膜の構造と固定電荷密度の関係

△ [15p-2S-8] 異なる面方位を有する平面基板を用いて作製された単結晶シリコン太陽電池の電圧誘起劣化挙動

△ [15p-2S-12] ナノ構造pHセンサーによる太陽電池モジュール内の発生酢酸分布の評価

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△ [15p-2S-7] AlO_xパッシベーション膜の構造と固定電荷密度の関係