[13a-1C-1~10] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13a-1C-8] メニスカス力を用いた局所転写のための中空構造単結晶シリコンの形成

〇赤澤 宗樹¹、東 清一郎¹ (1.広大院　先端研)

キーワード：転写、単結晶Si、ガラス

リンイオン注入によりSOI層に支えられたSiO₂柱のサイズ及び形状の制御を行うことでガラス基板上への中空構造膜の転写率向上を試みた。エッチング時間の制御により最小104nmの柱を形成することが出来た。また、イオン注入を行うことにより膜の転写率は増大し、ドーズ量1 × 10¹⁵ cm^-2 の条件で最大で95%の転写率を達成した。