[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-1D-10] X線マイクロビームを用いた選択成長InGaNにおける局所歪とIn組成分布の同時解析

〇横川 俊哉¹、栫 拓也¹、今井 康彦²、木村 滋² (1.山口大工、2.JASRI)

キーワード：窒化物系半導体、蛍光X線、X線回折

バルクGaNは低転位密度、高熱伝導、低抵抗の特徴もちLEDやパワーデバイスへの応用が期待される。一般にバルクGaNもサファイアを基板として気相成長を行い作製するため、その低転位化には選択成長技術が有効と考えられる。しかし選択成長を用いた場合シードの領域は比較的高い転位密度となるため、その上に成長した膜への影響が懸念される。今回X線マイクロビームを用いてX線回折のマイクロマッピングとIn蛍光X線の同時マッピングを行い、その結果実際にシード領域においてIn組成が低下していることを確認したので報告する。