[13a-1D-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13a-1D-8] THzエリプソメトリーによるサファイア基板上GaN薄膜の評価

〇達 紘平¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、名西 憓之¹、長島 健²、岩本 敏志³、佐藤 幸徳³、森田 直威⁴、杉江 隆一⁴、上山 智⁵ (1.立命館大学、2.摂南大学、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター、5.名城大学)

キーワード：テラヘルツ、エリプソメトリー、窒化物半導体