[13a-2W-1~9] 15.5 Group IV crystals and alloys

[13a-2W-5] The influence of a-Si layer thickness on growth mechanism of poly-Si crystalline
grown by aluminum-induced-crystallization

〇Yasuhiro Sujihara¹, Sergii Tutashkonko², Isao Takahashi¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.JST-PV innov.)

Keywords:AIC,poly-Si,growth

Al誘起成長（AIC）とはAl層とa-Si層をアニーリングにより層交換させながら、Siをアモルファス状態から結晶状態へ変化させる手法である。本研究ではa-Siの膜厚が、結晶の成長メカニズムや品質へ与える影響を検討した。結果、a-Si層の厚膜化に伴い、異方的な樹枝状成長をしていた結晶は、等方的な成長をすることが分かった。また、結晶方位は(001)方向が増加した。a-Si層の厚膜化は、Al中のSi原子濃度や核形成場所に影響したと考えられる。