9:00 AM - 9:15 AM
△ [13a-4C-1] Charge-transfer type molecular dynamics for oxidation of Si/SiO2 interface
Keywords:molecular dynamics,oxidation simulation
本研究はSiの酸化プロセス解明のため,ボンドオーダーにイオン項を組み込んだ電荷移動型ポテンシャルを開発した.Si表面モデルにO2分子を連続的に挿入し,SiO2酸化膜の形成の動力学計算を行った.計算結果より,O2分子のSiO2中への侵入,界面でのO2分子の解離と酸化膜の成長,余剰なSi原子の界面からの移動が確認された.また,SiO2酸化膜について密度分布を計算し,実験値との傾向の一致を確認した.