[13a-4C-1~12] 13.3 Insulator technology

△ [13a-4C-1] Charge-transfer type molecular dynamics for oxidation of Si/SiO₂ interface

〇(D)So Takamoto¹, Takahiro Yamasaki^2,3, Takahisa Ohno^2,3,4, Chioko Kaneta^3,5, Satoshi Izumi¹, Shinsuke Sakai¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.MARCEED, 4.IIS, Univ. of Tokyo, 5.Fujitsu Lab.)

Keywords:molecular dynamics,oxidation simulation

本研究はSiの酸化プロセス解明のため，ボンドオーダーにイオン項を組み込んだ電荷移動型ポテンシャルを開発した．Si表面モデルにO₂分子を連続的に挿入し，SiO₂酸化膜の形成の動力学計算を行った．計算結果より，O₂分子のSiO₂中への侵入，界面でのO₂分子の解離と酸化膜の成長，余剰なSi原子の界面からの移動が確認された．また，SiO₂酸化膜について密度分布を計算し，実験値との傾向の一致を確認した．