2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[13a-4C-1~12] 13.3 絶縁膜技術

2015年9月13日(日) 09:00 〜 12:15 4C (432)

座長:渡邉 孝信(早大),右田 真司(産総研)

11:45 〜 12:00

[13a-4C-11] 赤外分光による強誘電性Hf(Y)O膜の構造解析

〇井野 恒洋1、中崎 靖1、藤井 章輔1、松下 大介1 (1.東芝)

キーワード:強誘電、ハフニウム、Hf

XRDでは区別が難しいPbc21相とPbca相に対してPHASEプログラムを用いた第一原理計算による振動モードを求めた。強誘電体となるHf(Y)OにおけるFTIR実験と比較したところ、Pbca相とは大きく異なる振動スペクトルを得た。P42/nmc相やP21/c相とも異なり、Pbc21相が主相であると考えられる。