[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

[13p-1A-10] 遷移金属ダイカルコゲナイドへの電極接合に対する端の効果

〇野内 亮¹ (1.阪府大N2RC)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電極接合、ショットキー障壁

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）への電極接合におけるSchottky障壁高さに関して、面内欠陥を多く有するTMDC薄片においてはFermi準位ピニングに近い状態が観測されている。本研究では、面内欠陥の有無とは無関係に不可避な“欠陥”として、TMDC薄片の端に新たに着目する。本講演では、多層MoS₂薄片に対するAu電極接合におけるSchottky障壁高さが、薄片幅により変化する様子を報告する。