[13p-1A-1~15] Trend of Functional Atomic Thin Film Application

△ [13p-1A-9] Controlled layer-by-layer oxidation of atomically thin WSe₂

〇(PC)Mahito Yamamoto¹, Shu Nakaharai¹, Keiji Ueno², Kazuhito Tsukagoshi¹ (1.NIMS, 2.Saitama Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenides,Layer-by-layer oxidation,Hole doping

二硫化モリブデン(MoS₂)をはじめとする第6族遷移金属ダイカルコゲナイドの原子層は、スケーリングリミットが間近に迫るシリコンに代わる超薄膜半導体材料として期待されている。ダイカルコゲナイド原子層をポストシリコンデバイスとして実用化させるためには、シリコンの熱酸化プロセスのように、簡便かつ高品質に絶縁体・半導体界面を形成させることが重要である。本講演では、数原子層の二セレン化タングステン(WSe₂)にオゾンを比較的低温で曝露することで、原子レベルで均一で膜厚を1層から3層まで制御可能な表面酸化膜を成長させることに成功したので報告する。さらに、表面酸化膜との界面がWSe₂原子層の電気伝導特性に与える影響についても議論する。