[13p-1A-1~15] 機能性原子薄膜化合物材料の応用展開

[13p-1A-7] 遷移金属ダイカルコゲナイドの極薄ボディMOSFET応用

〇森 貴洋¹、二之宮 成樹^1,2、内田 紀行¹、久保 利隆¹、渡辺 英一郎³、津谷 大樹³、森山 悟士³、田中 正俊²、安藤 淳¹ (1.産総研、2.横国院工、3.物材機構)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ

本報告では、遷移金属ダイカルコゲナイドのMOSFET応用について近年の研究動向を概観する。最後に、我々の研究成果としてHigh-k/Metalゲートを適用したMoS₂ MOSFETのデバイス特性と、その実効移動度評価結果について紹介する。