[13p-1B-1~10] Progress of semiconductor wet processing - from silicon to compound -

[13p-1B-9] Analysis method of metal contamination for IPA

〇Yudai Ito¹, kazuya Dobashi¹, Misako Saito¹ (1.Tokyuo Electron Limited)

Keywords:semiconductor,metal contamination

LSIデバイス製造においてウェハ上の金属汚染は歩留まりを低下させる要因であるため非常に厳しい制御が求められている。IPAは洗浄プロセスの最終工程である乾燥工程で使われており、IPA中の金属不純物濃度を正しく計測し、管理していく必要がある。そこで我々はIPA中の極微量金属分析手法の検証を行い、課題を明確にした後、新たな分析手法の確立を行った。