[13p-1C-1~15] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[13p-1C-14] Development of particle-number standard wafers for calibrating wafer-surface-scanners (Ⅱ)

〇naoko tajima^1,2, Kenjiro Iida^1,2, Kensei Ehara¹, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:Particle number,Wafer surface scanner,Measurement standard

我々はウェハ表面パーティクル検査装置校正用のウェハとして、ウェハ上に付着させる粒径標準粒子の個数を制御できるウェハ作成技術の開発を進めている。この粒子数基準ウェハに付着させる粒子数を、ウェハへの沈着ラインと並列に設置した粒子カウンタで測定した濃度から予測した。今回沈着粒子数をより高い精度で予測するため、ウェハに沈着させる粒子の粒径および粒子数を直接測定するという改善を行ったためここに報告する。