[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-14] ウェハ表面パーティクル検査装置校正用の粒子数基準ウェハの開発(Ⅱ)

〇田島 奈穂子^1,2、飯田 健次郎^1,2、榎原 研正¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード：粒子数、ウェハ表面パーティクル検査装置、計測標準

我々はウェハ表面パーティクル検査装置校正用のウェハとして、ウェハ上に付着させる粒径標準粒子の個数を制御できるウェハ作成技術の開発を進めている。この粒子数基準ウェハに付着させる粒子数を、ウェハへの沈着ラインと並列に設置した粒子カウンタで測定した濃度から予測した。今回沈着粒子数をより高い精度で予測するため、ウェハに沈着させる粒子の粒径および粒子数を直接測定するという改善を行ったためここに報告する。