[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-4] ミニマル液体ドーパントプロセスによるCMOS試作

〇古賀 和博^1,2、居村 史人^1,2、北山 侑司²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技術研究組合)

キーワード：ミニマル、液体ドーパント

一般的なボロンとリンの液体ドーパントを用い塗布、熱拡散させるシンプルなプロセスにて、AlゲートCMOSインバータ試作を検討した。n型Si基板上のpウエル形成において、ボロン拡散の高温化にて表面濃度を高くし、n-MOSの閾値電圧をp-MOSと同程度にすることができた。また、p-MOSのゲート幅を最適化し、n-MOSとp-MOSの電流値を合わせることにより、閾値電圧が入力電圧のほぼ半分の正常なインバータを試作した。