[13p-1C-1~15] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13p-1C-5] 集光型赤外線加熱炉を用いたハーフインチシリコンCVD装置(5)

〇李 寧¹、羽深 等¹、三ケ原 孝則²、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

キーワード：エピタキシャル成長

新反射鏡を用いたミニマルマニュファクチャリング用CVD装置においてシリコン膜厚分布を均一化する方法を検討するため、基板回転とSiCサセプタの使用による効果を検討した。基板回転とSiCサセプタにより基板温度と膜厚分布に大きな変化が生じて膜厚分布が改善されることが把握された。この方法により膜厚が均一化される可能性がある。