[13p-1D-1~26] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [13p-1D-1] The Effect of Oxygen Impurity on Lattice Constants in GaN Crystals Grown with the Na-Flux Method

〇Masayuki Imanishi¹, Shuhei Fukuda², Kosuke Murakami¹, Hiroki Imabayashi¹, Hideo Takazawa¹, Daisuke Matsuo¹, Mihoko Maruyama¹, Mamoru Imade¹, Masashi Yoshimura¹, Yoshiyuki Tsusaka², Junji Matsui³, Yusuke Mori¹ (1.Osaka Univ., 2.Univ. of Hyogo, 3.Nanotech. Lab.)

Keywords:GaN,Na-flux method,Synchrotron Radiation X-ray

GaN系窒化物半導体のパワーデバイスへの応用、LED分野における更なる普及のためには、高品質かつ安価なGaNウエハが必要とされ、バルクGaN単結晶への期待は近年ますます高まっている。GaN結晶バルク化を目指し、アモノサーマル法で作製したGaN基板上にHVPE成長を行う等、様々な手法でホモエピタキシャル成長が試みられているが、製法の違いによる格子不整合が生じ、反りやクラックが発生するといった問題が報告されている。 本研究室では、Naフラックスポイントシード法を用いて大口径かつ低転位GaN基板を作製している。本GaN結晶をシードとして用い、気相成長によりバルク化する場合においても、格子定数の均一化及びその制御は非常に重要である。そこで、本研究では放射光X線を用い、Naフラックス法で作製したGaN結晶の格子定数を測定し、格子定数を均一にする成長モードを明らかにしたので報告する。