[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-1D-1] Naフラックス成長GaN結晶における酸素不純物の格子定数に与える影響

〇今西 正幸¹、福田 修平²、村上 航介¹、今林 弘毅¹、高澤 秀生¹、松尾 大輔¹、丸山 美帆子¹、今出 完¹、吉村 政志¹、津坂 佳幸²、松井 純爾³、森 勇介¹ (1.阪大院工、2.兵庫県大院理、3.放射光ナノテク研)

キーワード：窒化ガリウム、ナトリウムフラックス法、放射光X線

GaN系窒化物半導体のパワーデバイスへの応用、LED分野における更なる普及のためには、高品質かつ安価なGaNウエハが必要とされ、バルクGaN単結晶への期待は近年ますます高まっている。GaN結晶バルク化を目指し、アモノサーマル法で作製したGaN基板上にHVPE成長を行う等、様々な手法でホモエピタキシャル成長が試みられているが、製法の違いによる格子不整合が生じ、反りやクラックが発生するといった問題が報告されている。 本研究室では、Naフラックスポイントシード法を用いて大口径かつ低転位GaN基板を作製している。本GaN結晶をシードとして用い、気相成長によりバルク化する場合においても、格子定数の均一化及びその制御は非常に重要である。そこで、本研究では放射光X線を用い、Naフラックス法で作製したGaN結晶の格子定数を測定し、格子定数を均一にする成長モードを明らかにしたので報告する。