The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sun. Sep 13, 2015 1:15 PM - 8:15 PM 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

5:30 PM - 5:45 PM

[13p-1D-17] High-quality AlN template for deep-UV LEDs grown on facet controlled patterned sapphire substrate(FC-PSS)

〇Yuuya Kanazawa1,2, Hideki Hirayama1, Noritoshi Maeda1, Masafumi Jo1, Norihiko Kamata2, Yukio Kashima3, Eriko Matsuura3, Satoshi Shimatani4, Mitsunori Kokubo5, Takaharu Tashiro5, Takafumi Ohkawa6, Ryuichiro Kamimura6, Yamato Osada6 (1.RIKEN, 2.Saimata Univ., 3.MARUBUN, 4.TOKYO OHKA KOGYO, 5.TOSHIBA MACHINE, 6.ULVAC)

Keywords:patterned sapphire substrate,wet etch,AlN template

フォトリソグラフィ/ナノインプリント技術によって作製した6μm周期の三角格子パターンのウエットエッチングPSS上にMOCVDを用いてAlNを成膜した。異常成長が少なく平坦化が期待され、ボイドが観測された。