[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [13p-1D-20] ScAlMgO₄基板の構成元素がGaN成長層の特性に与える影響

〇(D)尾崎 拓也¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：ScAlMgO4、GaN

ScAlMgO₄(SCAM)は，GaNとの格子不整合度および熱膨張係数差が従来のサファイア基板と比較して小さいため，窒化物半導体の成長基板として魅力的である．今回，SCAM基板上のデバイス特性の向上を目指し，SCAMの構成元素がGaNの諸特性に与える影響を検討した．アンドープおよびMgドープGaNの光学評価からSCAMを構成するMgがGaN成長層に混入していることが分かった．