2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

18:45 〜 19:00

[13p-1D-21] GaN系薄膜の原子層エピタキシャル成長

〇加藤 良裕1、根石 浩司1、康 松潤1、鈴木 歩太1、本田 善央2、天野 浩2 (1.東京エレクトロン㈱、2.名大院工)

キーワード：窒化物半導体、原子層エピタキシー、発光ダイオード