2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月13日(日) 13:15 〜 20:15 1D (141+142)

座長:斉藤 真(三菱化学),岡田 成仁(山口大),岩谷 素顕(名城大)

13:45 〜 14:00

[13p-1D-3] アモノサーマル法で作製されたGaN基板中のつる巻きバネ状転位の解析

〇堀渕 嘉代1、山口 聡1、木本 康司1、西川 恒一1、加地 徹1 (1.豊田中研)

キーワード：転位、GaN基板