[13p-1D-1~26] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-1D-4] X線トポグラフによるGaN基板の欠陥評価

〇中居 克彦¹、永井 哲也¹、野網 健悟¹、佐々木 雅之¹、二木 登史郎¹ (1.日鉄住金テクノロジー)

キーワード：X線トポグラフ、GaN、転位

次世代パワーデバイス用基板であるGaN中の結晶欠陥を、X線トポグラフ、選択エッチング、TEMにより評価した。GaNの転位密度が1E4/cm²台まで下がる事で、異常透過が起こって透過X線トポグラフ観察が可能になることがわかった。