[13p-1E-1~17] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [13p-1E-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング
-レーザー散乱法を用いたクラスター照射領域の欠陥評価-

〇門野 武¹、奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：近接ゲッタリング、クラスター照射、シリコンウェーハ

クラスター照射によるゲッタリング能力は照射条件に依存する。そのため、照射条件の最適化には照射領域を簡便に検出し、評価する手法の開発が必要である。本研究では、レーザー散乱法を用いて散乱強度を評価し、クラスター照射条件(ドーズ量、クラスターサイズ)に依存した照射領域の欠陥形成状態を評価した。その結果、照射欠陥の評価手法として有効と考えられる結果が得られたので報告する。