[13p-2H-1~21] 6.3 Oxide electronics

△ [13p-2H-10] Sr composition dependence of electrical transport properties of Sr_xBa_1-xPbO₃ thin films

〇Tomoki Miyakawa¹, Junichi Shiogai¹, Atsushi Tsukazaki^1,2 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.JST-PRESTO)

Keywords:oxide electronics,metal-insulator transition

BaPbO₃はペロブスカイト構造の半金属であり、BaサイトにSrを添加することで構造の歪みを伴いながらバンドギャップを開いて、金属-絶縁体転移を生じる。我々はSr_xBa_1-xPbO₃薄膜をPLD法で作製し、Sr組成に依存する金属-絶縁体転移を観測した。薄膜ではバルク体より高いSr組成まで金属的伝導を示した。この結果は面内格子定数がバルク体と異なることに起因すると考えられ、講演で詳細を議論する。