[13p-2H-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13p-2H-6] Si基板上高密度エピタキシャル鉄酸化物ナノドットの形成とスイッチング特性

〇渡辺 健太郎¹、前田 佳輝¹、中本 悠太¹、松井 秀紀¹、竹内 正太郎¹、酒井 朗¹、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：酸化鉄、ナノドット、抵抗スイッチング