[13p-2S-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[13p-2S-2] WINCを用いた広帯域2x2シリコン光スイッチの作製

〇鈴木 恵治郎¹、谷澤 健¹、Cong Guangwei¹、池田 和浩¹、並木 周¹、河島 整¹ (1.産総研)

キーワード：光スイッチ、光集積回路

我々はWavelength Independent Coupler (WINC) を用いたMach-Zehnderスイッチを作製した．数値解析では，-40 dB以下のクロストークがCLバンドにおいて得られることが見積もられた．デバイスは液浸ArFスキャナーを用いて300-mm SOI基板上に作製され，そのクロストークは-20 dB程度であった．解析との違いは位相誤差に起因すると推測される．