[13p-2S-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

[13p-2S-9] 対称および非対称構造MOS型Si光変調器のキャリア蓄積モードによる高効率動作の検討

〇野口 将高¹、藤方 潤一¹、高橋 重樹¹、高橋 正志²、中村 隆宏¹ (1.PETRA、2.産総研)

キーワード：光変調器

1.3μm波長帯において設計したMOS型変調器をキャリア蓄積モードで動作させることにより、VπL=0.16V・cmの高効率動作と60μmの位相シフタ長において25Gbpsの高速動作を達成した。また、非対称構造のMOS型光変調器においても、同様の高効率動作を実証した。