[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [13p-2W-9] エピタキシャルSi_1-xGe_x薄膜中の欠陥構造に対する前駆体ガス原料の効果

〇池 進一^1,2,3、Simoen Eddy³、志村 洋介^3,4,5、Hikavyy Andriy³、Vandervorst Wilfried^3,4、Loo Roger³、竹内 和歌奈¹、中塚 理¹、財満 鎭明^1,6 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.Imec、4.KU Leuven、5.FWO PMC Fellow、6.名古屋大エコトピア)

キーワード：半導体、SiGe、DLTS

10 nm技術世代以降に向けたCMOSデバイスのスケーリングに伴い、IV族半導体材料を基準としたデバイスを構築していく上で、SiGe薄膜の成長温度の低減が要求される。高次の前駆体ガスを用いて成長温度を低減できる一方、低温成長において膜中に点欠陥等が容易に導入される可能性がある。本講演では、SiGe膜の結晶性および電気的活性な欠陥に対して、前駆体ガスの種類が与える効果について調査した。