[13p-4C-1~9] What is the last knob of Ge-CMOS?

[13p-4C-5] Characterization of thin Ge layer on GeOI substrate fabricated
by Epitaxial Lift-Off (ELO) technique

〇Yuuichi Kurashima¹, Hideki Takagi¹, Hiroyuki Ishii¹, Hiroyuki Hattori¹, Wen-Hsin Chang¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST)

Keywords:Ge,Epitaxial Lift-Off,Transfer of thin layer

これまでに、Ge特有の高品質なゲートスタック技術の開発と高移動度実証により、チャネル材料としては有用性が示されてきた。しかしながら、高度集積化には、Ge on SiやGe-on-Insulatorなどの基板エンジニアリングが鍵となる。そこで我々は、低温貼り合せ技術とエピタキシャルリフトオフ(ELO)法を用いた高品質なGe層の転写技術を開発してきた。今回、転写前後のGe層の結晶性をXRD(X-ray Diffraction)により評価したので報告する。