2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

[13p-4E-1~20] 6.5 表面物理・真空

2015年9月13日(日) 13:15 〜 18:45 4E (437)

座長:小川 修一(東北大),大野 真也(横国大)

13:45 〜 14:00

[13p-4E-3] 超高真空槽で調製したSi(001)と(111)面の水滴下後の表面変化

〇宮城 友昭1、笹原 亮1、富取 正彦1 (1.北陸先端大)

キーワード:シリコン、濡れ性

超高真空中で調製したSi(111)およびSi(001)の清浄、水素(H)終端、および極薄酸化膜表面に対し、窒素雰囲気化にて純水を滴下し、その接触角を測定した。そして、その後の各表面の状態をオージェ電子分光法と原子間力顕微鏡で調べた。H終端表面は親水性を示さなかったが、清浄表面と極薄酸化膜表面は超親水性を示した。この超親水表面の接触角を高精度で測定するために、光干渉稿を用いた算出法を試みた。最も親水性を示したのは極薄酸化表面であった。さらに、Si表面の反応性と表面上のシラノール基の割合の関係について議論した。