[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-13] 球状ディンプル研磨した(775)B GaAs基板上のGaAs/InGaAs量子井戸のMBE成長

〇橋本 飛鳥¹、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：量子井戸、MBE成長、高指数面

(775)B GaAs 基板上に球状ディンプル研磨を用いると(775)B を中心に面内のあらゆる方向にオフした基板上の成長について調べることができる。今回、(775)B GaAs 基板の球状ディンプル研磨加工とその上のInGaAs/GaAs 量子井戸のMBE 成長について報告する。