2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2015年9月13日(日) 13:30 〜 15:30 PB2 (白鳥ホール)

13:30 〜 15:30

[13p-PB2-15] 結晶構造転写によるAlInPのウルツ鉱構造への結晶相転移

〇平谷 佳大1、石坂 文哉1、冨岡 克広1,2、福井 孝志1 (1.北大院情報科学および量子集積センター、2.JSTさきがけ)

キーワード:MOVPE、ウルツ鉱構造

近年、ウルツ鉱構造を有するAlInP混晶は、発光効率が高い直接遷移型半導体になることが理論的・実験的に示されている。しかし、準安定構造であるウルツ鉱構造AlInP混晶の作製は容易ではなく、デバイス応用が比較的容易なプレーナ型の報告例はない。そこで本研究では、GaN基板を用いた結晶構造転写によりプレーナ型AlInPを成長し、結晶構造の評価を行った。