PDF ダウンロード スケジュール 7 いいね! 0 13:30 〜 15:30 [13p-PB2-7] ALE法を用いたGaAsN薄膜成長におけるSiドープが電気的特性へ及ぼす影響 〇横山 祐貴1、堀切 将1、橋本 英明1、原口 智宏1、山内 俊浩1、鈴木 秀俊1、前田 幸治1、碇 哲雄1、福山 敦彦1 (1.宮崎大工) キーワード:原子層エピタキシー、III-V族窒化物半導体、シリコンドープ