1:30 PM - 3:30 PM
[13p-PB2-8] Characterization of InGaSb thin heteroepitaxial layer on AlGaSb buffer layer
Keywords:III-V compound semiconductor,MBE,InGaSb
InGaSbをチャネル層に利用したHEMTの開発を目指し、GaAs(100)基板上InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の結晶性、平坦性の評価を行った。10 nmのIn0.28Ga0.72Sb層はAl0.8Ga0.2Sbバッファ層上にMBE法により成長した。結果、InGaSb/AlGaSb界面より、転位・積層欠陥(双晶)に起因する多数の欠陥孔が観察された。V/III比を最適化することにより、欠陥孔の領域を低減できることがわかった。同ヘテロ構造を用い、InAs/InGaSbチャネル層によるn型のQW構造を作製し特性評価を行った。