[13p-PB2-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[13p-PB2-8] InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の膜質評価

〇原 紳介¹、渡邊 一世¹、竹鶴 達哉²、辻 大介²、藤川 紗千恵²、藤代 博記²、赤羽 浩一¹、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構、2.東理大院基礎工)

キーワード：III-V族化合物半導体、分子線エピタキシー法、インジウムガリウムアンチモン

InGaSbをチャネル層に利用したHEMTの開発を目指し、GaAs(100)基板上InGaSbヘテロエピタキシャル薄膜の結晶性、平坦性の評価を行った。10 nmのIn_0.28Ga_0.72Sb層はAl_0.8Ga_0.2Sbバッファ層上にMBE法により成長した。結果、InGaSb/AlGaSb界面より、転位・積層欠陥（双晶）に起因する多数の欠陥孔が観察された。V/III比を最適化することにより、欠陥孔の領域を低減できることがわかった。同ヘテロ構造を用い、InAs/InGaSbチャネル層によるn型のQW構造を作製し特性評価を行った。