[13p-PB3-1~2] 15.7 エピタキシーの基礎

[13p-PB3-1] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーの法線方向成長速度に与えるSiドーピングの効果

〇水野 陽介¹、冨田 将史¹、神林 大介¹、高倉 宏幸¹、岩川 宗樹¹、白木 優子¹、丸山 隆浩¹、成塚 重弥¹ (1.名城大理工)

キーワード：結晶成長、GaAs、マイクロチャンネルエピタキシー