[13p-PB6-1~20] 21.1 Joint Session K

[13p-PB6-18] Electroluminescence from n-ZnO/ Si3N4/NiO/p-Si heterojunctions formed by electric field applied sol-gel method

〇Tomoya Ohnishi¹, Kazunori Abe², Takashi Aoyama¹, Hiroyuki Yamaguti¹, Takao Komiyama¹, Yasunori Chonan¹ (1.Akita Prefectural Univ., 2.Akita Univ.)

Keywords:ZnO,Sol-Gel method,Electroluminescence

電界印加状態での結晶化法によるゾル-ゲルZnO薄膜を用いたn-ZnO/Si₃N₄/NiO/p-Siヘテロ接合を作製し、EL発光特性の評価した。