[14a-1B-1~11] 21.1 Joint Session K

[14a-1B-11] AP-MOCVD deposition of CuO thin films

〇Kazuki Fujiwara¹, Mizuki Teramura¹, Kentaro Taguch¹, Kai Taniguch¹, Hiroyasu Ishikawa^1,2 (1.Shibaura Inst., 2.SIT Center for Green Inovation)

Keywords:CuO,MOCVD

有機金属加熱炉および反応炉として横型管状炉2台を用いた常圧MOCVD装置によりCuOの堆積実験を行った。XRDの結果から350℃ではCu₂O単一の膜であり、得られた2.3eVの光学バンドギャップはCu₂O薄膜に起因したものである。400℃のXRDスペクトルではCu₂OとCuOの両ピークが存在するがピーク強度の違いからCuOが主成分であり、1.3 eVの光学バンドギャップはCuO薄膜に起因したものと考えている。