[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-1B-11] 常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製

〇藤原 一樹¹、寺村 瑞樹¹、田口 健太朗¹、谷口 凱¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

キーワード：CuO、有機金属気相成長

有機金属加熱炉および反応炉として横型管状炉2台を用いた常圧MOCVD装置によりCuOの堆積実験を行った。XRDの結果から350℃ではCu₂O単一の膜であり、得られた2.3eVの光学バンドギャップはCu₂O薄膜に起因したものである。400℃のXRDスペクトルではCu₂OとCuOの両ピークが存在するがピーク強度の違いからCuOが主成分であり、1.3 eVの光学バンドギャップはCuO薄膜に起因したものと考えている。