[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[14a-1B-2] UHVスパッタ法により成長したZnO層の大気アニール処理(Ⅲ)

〇(M1)羽鳥 翼¹、佐久間 大樹¹、松久 健司¹、渡邉 和樹¹、水野 愛¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：半導体