[14a-1B-1~11] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [14a-1B-3] ZnO グラフォエピタキシャル薄膜の電気特性評価

〇工藤 徹也¹、大島 孝仁¹、大橋 一輝¹、吉松 公平¹、大友 明^1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

キーワード：半導体、酸化亜鉛、グラフォエピタキシー

低コストかつ高品質なデバイスの作製手法の一つとして，我々はガラス基板上でも3 次元配向制御が可能なグラフォエピタキシーに注目している．この手法をZnO に適用し，回折格子様の形状を有するガラス基板上に，グラフォエピタキシーの実証に成功した．しかし，形状の凹凸に沿って電流が流れる結果，見かけの移動度が低くなるという問題があった．ガラス基板とZnO 薄膜の間に絶縁性MgZnO薄膜を挿入することでこの問題を解決した．